Cypress Semiconductor F-RAM Excelon-LP系列是采用先进铁电工艺的低功耗、4Mbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器 (F-RAM) 是非易失性存储器，可执行类似于RAM的读写操作。F-RAM的可靠数据保留期为151年。该器件可以消除串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器会出现的复杂性高、开销大和系统级可靠性不足问题。

FEATURES

• 4Mbit铁电随机存取存储器 (F-RAM)，逻辑组织方式为512K x 8
  

• 提供了一百万亿次 (1014) 的读/写周期，几乎为无限次数的耐久性

• 151年的数据保留期（参见第20页的数据保留和耐用性）

• NoDelay™写入

• 先进的高可靠性铁电工艺

• 快速串行外设接口 (SPI)
  

• 高达50MHz频率

• 支持SPI模式0 (0, 0) 和模式3 (1, 1)

• 复杂的写入保护方案
  

• 使用写保护 (WP) 引脚进行硬件保护

• 使用写禁用 (WRDI) 指令进行软件保护

• 用于1/4、1/2或整个阵列的软件块保护

• 设备ID和序列号
  

• 设备ID包含制造商ID和产品ID

• 唯一ID

• 序列号

• 专用256字节特殊扇区F-RAM
  

• 专用特殊扇区写入和读取操作

• 存储的内容可以在最多3个标准回流焊周期内保持不变

• 低功耗
  

• 频率为40MHz时，有效电流为2.4mA（典型值）

• 待机电流：2.3µA（典型值）

• 0.70µA（典型值） 深度掉电模式电流为0.70µA（典型值）

• 0.1µA（典型值） 休眠模式电流为0.1µA（典型值）

• 低电压工作
  

• CY15V104QN：VDD = 1.71V至1.89V

• CY15B104QN：VDD = 1.8V至3.6V

• 商业级和工业级工作温度
  

• 商业级工作温度：0°C至+70°C

• 工业级工作温度：-40°C至+85°C

• 封装
  

• 8引脚小外形集成电路 (SOIC) 封装

• 8引脚栅格阵列四方扁平无引线 (GQFN) 封装

• 符合有害物质限制 (RoHS) 指令

框图