用于热插拔的 N 沟道增强型 ASFET，采用 LFPAK56E 封装中的增强型 SOA，针对低 RDSon 和强大的安全工作区域进行了优化，针对热插拔、浪涌和线性模式应用进行了优化。

特性

• Fully optimized Safe Operating Area (SOA) for superior linear mode operation

• Optimized for low RDSon / low I²R conduction losses

• LFPAK56E package for applications that demand the highest performance and reliability in a 30 mm² footprint

• Low leakage <1 µA at 25 °C

• Copper-clip for low parasitic inductance and resistance

• High reliability LFPAK package, qualified to 175 °C

目标应用

• Hot swap in 12 V - 20 V applications

• e-Fuse

• DC switch

• Load switch

• Battery protection

Package

型号	器件编号	状态	标示	封装	尺寸版本	回流焊/波峰焊	包装
PSMNR56-25YLE	PSMNR56-25YLEX ( 9346 640 58115 )	Active	E56L25J	LFPAK56E; Power-SO8 (SOT1023)	SOT1023	REFLOW_BG-BD-1	SOT1023_115

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